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參數(shù)資料
| 型號： | BUZ80 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(N溝道增強模式功率MOSFET) |
| 中文描述： | N溝道增強模式功率MOS晶體管（不適用溝道增強模式功率MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 1/10頁 |
| 文件大小： | 200K |
| 代理商： | BUZ80 |
BUZ80
BUZ80FI
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOS TRANSISTOR
I
TYPICAL R
DS(on)
= 3.3
I
AVALANCHE RUGGEDNESS TECHNOLOGY
I
100% AVALANCHE TESTED
I
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100
o
C
I
LOW INPUT CAPACITANCE
I
LOW GATE CHARGE
I
APPLICATION ORIENTED
CHARACTERIZATION
APPLICATIONS
I
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
I
SWITCH MODE POWERSUPPLIES (SMPS)
I
CONSUMER AND INDUSTRIAL LIGHTING
I
DC-AC INVERTERS FOR WELDING
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE
POWER SUPPLY (UPS)
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
< 4
< 4
I
D
BUZ80
BUZ80FI
800 V
800 V
3.4 A
2.1 A
1
2
3
TO-220
ISOWATT220
November 1996
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
BUZ80
BUZ80FI
V
DS
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
Drain- gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
Gate-source Voltage
Drain Current (continuous) at T
c
= 25
o
C
Drain Current (continuous) at T
c
= 100
o
C
800
V
V
DGR
800
V
V
GS
±
20
V
I
D
3.4
2.1
A
I
D
2.1
1.3
A
I
DM
(
)
P
tot
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
13
13
A
100
40
W
Derating Factor
0.8
0.32
W/
o
C
V
ISO
Insulation Withstand Voltage (DC)
2000
V
o
C
o
C
T
stg
Storage Temperature
-65 to 150
T
j
Max. Operating Junction Temperature
(
) Pulsewidth limited by safe operating area
150
1
2
3
1/10
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BY223-600 | FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES |
| BY233-600 | Fast Recovery Rectifier Diodes(快速恢復(fù)整流二極管) |
| BY239L-800 | RECTIFIER DIODES |
| BYT 08P-1000 | Fast Recovery Rectifier Diode(快速恢復(fù)整流二極管) |
| BYT 08PI-1000 | Fast Recovery Rectifier Diode(快速恢復(fù)整流二極管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BUZ80A | 功能描述:MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SIPMOS® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| BUZ80A | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N TO-220 ((NW)) |
| BUZ80AC67078-S1309-A3 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:TRANSISTOR TO 220 MOSFET N KANAL |
| BUZ80AFI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS(197.88 k) |
| BUZ80F | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS(196.99 k) |
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