參數(shù)資料
型號: BUZ72SMD
英文描述: Single-coil dual-output step-down DC/DC converter for digital base band and multimedia processor supply
中文描述: ?功率MOSFET。 100V的。 ?睵支AK。導(dǎo)通狀態(tài)\u003d 0.2歐姆。 10A條。倪?
文件頁數(shù): 8/8頁
文件大小: 90K
代理商: BUZ72SMD
BUZ 72
Data Sheet
8
05.99
Avalanche energy
E
AS
=
(T
j
)
parameter: I
D
= 10 A, V
DD
= 25 V
R
GS
= 25
, L = 885 μH
20
40
60
80
100
120
C
T
j
160
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
mJ
60
E
AS
Typ. gate charge
V
GS
=
(Q
Gate
)
parameter: I
D puls
= 15 A
0
10
20
30
40
50
nC
Q
Gate
70
0
2
4
6
8
10
12
V
16
V
GS
DS max
V
0,8
DS max
V
0,2
Drain-source breakdown voltage
V
(BR)DSS
=
(T
j
)
-60
-20
20
60
100
C
T
j
160
90
92
94
96
98
100
102
104
106
108
110
112
114
116
V
120
V
(BR)DSS
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PDF描述
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參數(shù)描述
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BUZ73 E3046 功能描述:MOSFET N-CH 200V 7A TO-220AB RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SIPMOS® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
BUZ73 H 功能描述:MOSFET N-Channel 200V Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUZ73 H3046 功能描述:MOSFET N-Channel 200V Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUZ73 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N TO-220