參數(shù)資料
型號: BUZ72SMD
英文描述: Single-coil dual-output step-down DC/DC converter for digital base band and multimedia processor supply
中文描述: ?功率MOSFET。 100V的。 ?睵支AK。導通狀態(tài)\u003d 0.2歐姆。 10A條。倪?
文件頁數(shù): 3/8頁
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代理商: BUZ72SMD
BUZ 72
Data Sheet
3
05.99
Electrical Characteristics,
at
T
j
= 25C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
Unit
min.
typ.
max.
Dynamic Characteristics
Transconductance
V
DS
2
*
I
D *
R
DS(on)max,
I
D
= 6 A
Input capacitance
g
fs
3
4.3
-
S
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1 MHz
Output capacitance
C
iss
-
400
530
pF
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1 MHz
Reverse transfer capacitance
C
oss
-
120
180
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1 MHz
Turn-on delay time
C
rss
-
70
105
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 3 A
R
GS
= 50
Rise time
t
d(on)
-
10
15
ns
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 3 A
R
GS
= 50
Turn-off delay time
t
r
-
45
70
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 3 A
R
GS
= 50
Fall time
t
d(off)
-
55
75
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 3 A
R
GS
= 50
t
f
-
40
55
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PDF描述
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參數(shù)描述
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BUZ73 E3046 功能描述:MOSFET N-CH 200V 7A TO-220AB RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SIPMOS® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
BUZ73 H 功能描述:MOSFET N-Channel 200V Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUZ73 H3046 功能描述:MOSFET N-Channel 200V Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUZ73 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N TO-220