參數(shù)資料
型號(hào): BUZ72SMD
英文描述: Single-coil dual-output step-down DC/DC converter for digital base band and multimedia processor supply
中文描述: ?功率MOSFET。 100V的。 ?睵支AK。導(dǎo)通狀態(tài)\u003d 0.2歐姆。 10A條。倪?
文件頁數(shù): 7/8頁
文件大?。?/td> 90K
代理商: BUZ72SMD
BUZ 72
Data Sheet
7
05.99
Gate threshold voltage
V
GS (th)
=
(T
j
)
parameter: V
GS
= V
DS
, I
D
= 1 mA
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
3.2
3.6
4.0
V
4.6
V
GS(th)
-60
-20
20
60
100
C
T
j
160
2%
typ
98%
Drain-source on-resistance
R
DS (on)
=
(T
j
)
parameter: I
D
= 6 A, V
GS
= 10 V
-60
-20
20
60
100
C
T
j
160
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
0.35
0.40
0.45
0.50
0.55
0.65
R
DS (on)
typ
98%
Typ. capacitances
C
=
f
(
V
DS
)
parameter:
V
GS
= 0V,
f
= 1MHz
0
5
10
15
20
25
30
V
40
V
DS
-2
10
-1
10
0
10
1
10
nF
C
C
rss
C
oss
C
iss
Forward characteristics of reverse diode
I
F
=
(V
SD
)
parameter: T
j
, t
p
= 80 μs
-1
0.0
10
0
10
1
10
2
10
A
I
F
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
V
3.0
V
SD
T
j
= 25 C typ
T
j
= 150 C typ
T
j
= 25 C (98%)
T
j
= 150 C (98%)
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PDF描述
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BUZ73 E3046 功能描述:MOSFET N-CH 200V 7A TO-220AB RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SIPMOS® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
BUZ73 H 功能描述:MOSFET N-Channel 200V Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUZ73 H3046 功能描述:MOSFET N-Channel 200V Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUZ73 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N TO-220