參數(shù)資料
型號： BUK7556-30
英文描述： N-Channel Enhancement MOSFET
中文描述： N溝道MOSFET的增強
文件頁數(shù)： 3/15頁
文件大小： 336K
代理商： BUK7556-30
Philips Semiconductors
BUK75/76/7E04-40A
TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 02 — 7 November 2001
3 of 15
9397 750 09059
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
V
GS
≥
4.5 V
Fig 1.
Normalized total power dissipation as a
function of mounting base temperature.
Fig 2.
Continuous drain current as a function of
mounting base temperature.
T
mb
= 25
°
C; I
DM
single pulse.
Fig 3.
Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of drain-source voltage.
03na19
0
20
40
60
80
100
120
0
25
50
75
100
125
150
175
Tmb (oC)
200
Pder
(%)
03ne93
0
50
100
150
200
25
50
75
100
125
150
175
Tmb (oC)
200
ID
Capped at 75 A due to package
P
der
P
tot 25 C
°
)
----------------------
100
%
×
=
03ne68
1
10
10
2
10
3
1
10
10
2
VDS (V)
ID
(A)
DC
100 ms
10 ms
RDSon = VDS / ID
1 ms
tp = 10 μs
100 μs
Capped at 75 A due to package
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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