參數(shù)資料
型號： BUK7556-30
英文描述： N-Channel Enhancement MOSFET
中文描述： N溝道MOSFET的增強
文件頁數(shù)： 1/15頁
文件大小： 336K
代理商： BUK7556-30
BUK75/76/7E04-40A
TrenchMOS standard level FET
Rev. 02 — 7 November 2001
Product data
1.
Description
N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using
TrenchMOS technology, featuring very low on-state resistance.
Product availability:
BUK7504-40A in SOT78 (TO-220AB); BUK7604-40A in SOT404 (D
2
-PAK);
BUK7E04-40A in SOT226 (I
2
-PAK).
2.
Features
I
TrenchMOS technology
I
Q101 compliant
I
175
°
C rated
I
Standard level compatible.
3.
Applications
I
Automotive and general purpose power switching:
N
12 V loads
N
Motors, lamps and solenoids.
4.
Pinning information
Table 1:
Pin
Pinning - SOT78, SOT404, SOT226 simplified outline and symbol
Description
Simplified outline
Symbol
1
gate (g)
SOT78 (TO-220AB)
SOT404 (D
2
-PAK)
SOT226 (I
2
-PAK)
2
drain (d)
3
source (s)
mb
mounting base,
connected to
drain (d)
MBK106
1 2
mb
3
1
3
2
MBK116
mb
MBK112
1 2 3
mb
s
d
g
MBB076
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK7604-40A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263AB
BUK7609-75A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263AB
BUK7623-75A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 53A I(D) | TO-263AB
BUK762R7-30B TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263AB
BUK763R1-40B TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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BUK755R2-40B,127 功能描述:MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK755R4-100E 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N-CH 100V 120A TO22
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BUK7560-100A 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS standard level FET
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