參數(shù)資料
型號(hào)： BUK7509-75A
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-220AB
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 75V的五（巴西）直| 75A條（?。﹟ TO - 220AB現(xiàn)有
文件頁(yè)數(shù)： 10/15頁(yè)
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代理商： BUK7509-75A
Philips Semiconductors
BUK75/76/7E04-40A
TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 02 — 7 November 2001
10 of 15
9397 750 09059
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
Fig 17. SOT404 (D
2
-PAK).
UNIT
A
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
mm
A1
D1
D
max.
E
e
Lp
HD
Q
c
2.54
2.60
2.20
15.80
14.80
2.90
2.10
11
1.60
1.20
10.30
9.70
4.50
4.10
1.40
1.27
0.85
0.60
0.64
0.46
b
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
SOT404
0
2.5
5 mm
scale
Plastic single-ended surface mounted package (Philips version of D
2
-PAK); 3 leads
(one lead cropped)
SOT404
e
e
E
b
D1
HD
D
Q
Lp
c
A1
A
1
3
2
mounting
base
99-06-25
01-02-12
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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BUK752R7-30B TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-220AB
BUK753R1-40B TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-220AB
BUK7556-30 N-Channel Enhancement MOSFET
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參數(shù)描述
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BUK7510-100B 功能描述:MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK7510-100B,127 功能描述:MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK7510-30 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Standard level FET
BUK7510-55AL 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS standard level FET
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