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參數(shù)資料
| 型號： | BUK466-200A |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | PowerMOS transistor |
| 中文描述： | 19 A, 200 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 5/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 67K |
| 代理商： | BUK466-200A |
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistor
BUK466-200A
Fig.13. Typical turn-on gate-charge characteristics.
V
GS
= f(Q
G
); conditions: I
D
= 19 A; parameter V
DS
Fig.14. Typical reverse diode current.
I
F
= f(V
SDS
); conditions: V
GS
= 0 V; parameter T
j
0
10
20
30
40
QG / nC
VGS / V
12
10
8
6
4
2
0
VDS / V =40
160
BUK456-200
0
1
2
BUK456-200A
VSDS / V
IF / A
40
30
20
10
0
Tj / C = 150
25
February 1996
5
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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