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參數(shù)資料
| 型號： | BUK200-50X_1 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | PowerMOS transistor TOPFET high side switch(功率MOS晶體管TOPFET高邊開關(guān)) |
| 中文描述： | PowerMOS晶體管TOPFET高邊開關(guān)（功率馬鞍山晶體管TOPFET高邊開關(guān)） |
| 文件頁數(shù)： | 11/13頁 |
| 文件大小： | 125K |
| 代理商： | BUK200-50X_1 |
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistor
TOPFET high side switch
BUK200-50X
Fig.34. Typical overload current, V
= 8.5 V.
I
L
= f(T
mb
); conditions V
BG
= 13 V; t
p
= 300
μ
s
Fig.35. Typical short circuit load threshold voltage.
V
BL(TO)
= f(V
BG
); condition T
mb
= 25 C
Fig.36. Typical short circuit load threshold voltage.
V
BL(TO)
= f(T
mb
); condition V
BG
= 13 V
Fig.37. Transient thermal impedance.
Z
th
j-mb
= f(t); parameter D = t
p
/T
-60
-20
20
60
Tmb / C
100
140
180
IL(LIM) / A
BUK200-50X
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
-60
-20
20
60
Tmb / C
100
140
180
VBL(TO) / V
BUK200-50X
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
0
10
20
30
40
VBG / V
VBL(TO) / V
BUK200-50X
12
11
10
9
8
0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
100n
10u
1m
t / s
100m
10
Zth j-mb / (K/W)
BUK200-50X
10
1
0.1
0.01
1
10m
100u
1u
D =
t
p
t
p
T
T
P
D
t
D =
April 1995
11
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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