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參數(shù)資料
| 型號： | BUK107-50DS |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | PowerMOS transistor Logic level TOPFET(功率MOS晶體管邏輯電平TOPEFT) |
| 中文描述： | 0.7 A, 50 V, 0.175 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 5/9頁 |
| 文件大小： | 75K |
| 代理商： | BUK107-50DS |
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistor
Logic level TOPFET
BUK107-50DS
Fig.8. Typical overtemperature protection threshold.
T
j(TO)
= f(V
IS
); condition: V
DS
= 10 V
Fig.9. Typical DC input characteristics, T
= 25 C.
I
IS
& I
ISL
= f(V
IS
); normal operation & protection latched
Fig.10. Typical DC input current.
I
IS
= f(T
j
); parameter V
IS
; normal operation
Fig.11. Input threshold voltage.
V
IS(TO)
= f(T
j
); conditions: I
D
= 1 mA; V
DS
= 5 V
Fig.12. Typical input clamping characteristic.
I
I
= f(V
IS
); normal operation, T
j
= 25 C.
Fig.13. Overvoltage clamping characteristic, 25 C.
I
D
= f(V
DS
); conditions: V
IS
= 0 V; t
p
≤
300
μ
s
0
2
4
6
8
10
VIS / V
Tj(TO) / C
BUK107-50DS
200
180
160
140
120
100
80
60
TYP.
-50
0
50
150
Tj / C
VIS(TO) / V
BUK107-50DS
3
2
1
TYP.
MAX.
MIN.
100
0
2
4
6
8
VIS / V
IIS & IISL / mA
BUK107-50DS
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
IISL
IIS
RESET
NORMAL
LATCHED
0
2
4
6
8
10
VIS / V
II / mA
BUK107-50DS
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
-50
50
150
Tj / C
IIS / uA
BUK107-50DS
500
400
300
200
100
0
100
0
5 V
4 V
VIS / V =
50
52
54
56
58
60
VDS / V
ID / mA
BUK107-50DS
200
150
100
50
0
TYP.
March 1997
5
Rev 1.200
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUK108-50DL | PowerMOS transistor Logic level TOPFET(功率MOS晶體管邏輯電平TOPFET) |
| BUK108-50GL | PowerMOS transistor Logic level TOPFET(功率MOS場效應(yīng)管邏輯電平TOPFET) |
| BUK108-50GS | PowerMOS transistor TOPFET(功率MOS晶體管TOPFET) |
| BUK109-50DL | PowerMOS transistor Logic level TOPFET(功率MOS場效應(yīng)管邏輯電平TOPFET) |
| BUK109-50GL | PowerMOS transistor Logic level TOPFET(功率MOS場效應(yīng)管邏輯電平TOPFET) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BUK107-50DST/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 500MA I(D) | SOT-223 |
| BUK107-50GL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET |
| BUK108-50DL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:PowerMOS transistor Logic level TOPFET |
| BUK108-50DL /T3 | 功能描述:MOSFET TAPE13 TOPFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BUK108-50DL,118 | 功能描述:MOSFET TAPE13 TOPFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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