參數(shù)資料
型號： BUJ302AD
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN power transistor
中文描述： 4 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
封裝： PLASTIC, SC-63, DPAK-3
文件頁數(shù)： 1/14頁
文件大?。?/td> 532K
代理商： BUJ302AD
1.
Product profile
1.1 General description
High-voltage, high-speed planar-passivated NPN power switching transistor in a SOT428
(DPAK) surface mounted package.
1.2 Features and benefits
Fast switching
High voltage capability
Low thermal resistance
Surface-mountable package
1.3 Applications
DC-to-DC converters
High-frequency electronic lighting
ballast applications
Inverters
Motor control systems
1.4 Quick reference data
Table 1.
Symbol
I
C
[1]
Pulse test: pulse duration
≤
300 μs, duty cycle
≤
2 %
BUJ302AD
NPN power transistor
Rev. 01 — 28 March 2011
Product data sheet
DA
Quick reference data
Parameter
collector current
Conditions
see
Figure 1
; see
Figure 2
;
see
Figure 4
T
mb
≤
25 °C; see
Figure 3
V
BE
= 0 V
Min
-
Typ
-
Max
4
Unit
A
P
tot
V
CESM
total power dissipation
collector-emitter peak
voltage
-
-
-
-
80
1050 V
W
Static characteristics
h
FE
DC current gain
I
C
= 0.1 A; V
CE
= 5 V;
T
mb
= 25 °C; see
Figure 11
I
C
= 0.8 A; V
CE
= 3 V;
T
mb
= 25 °C; see
Figure 12
[1]
48
66
100
[1]
25
42
50
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PDF描述
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參數(shù)描述
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