參數(shù)資料
型號： BUJ302AX
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN power transistor
封裝： BUJ302AX<SOT186A (TO-220F)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT186A.html<1<,;
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代理商： BUJ302AX
1.
Product profile
1.1 General description
High-voltage, high-speed planar-passivated NPN power switching transistor in a
SOT186A (TO-220F) plastic package.
1.2 Features and benefits
Fast switching
High voltage capability
Isolated package
Low thermal resistance
1.3 Applications
DC-to-DC converters
High-frequency electronic lighting
ballast applications
Inverters
Motor control systems
1.4 Quick reference data
Table 1.
Symbol
I
C
BUJ302AX
NPN power transistor
Rev. 02 — 28 March 2011
Product data sheet
T-2F
Quick reference data
Parameter
collector current
Conditions
see
Figure 1
; see
Figure 2
;
see
Figure 4
T
h
≤
25 °C; see
Figure 3
Min
-
Typ
-
Max
4
Unit
A
P
tot
total power
dissipation
collector-emitter
peak voltage
-
-
26
W
V
CESM
V
BE
= 0 V
-
-
1050 V
Static characteristics
h
FE
DC current gain
I
C
= 0.1 A; V
CE
= 5 V; T
h
= 25 °C;
see
Figure 11
I
C
= 0.8 A; V
CE
= 3 V; T
h
= 25 °C;
see
Figure 12
48
66
100
25
42
50
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUJ302A NPN power transistor
BUJ303AD NPN power transistor
BUJ303AX NPN power transistor
BUJ303A NPN power transistor
BUJ303B NPN power transistor
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參數(shù)描述
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BUJ303A 功能描述:兩極晶體管 - BJT RAIL BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUJ303A,127 功能描述:兩極晶體管 - BJT RAIL BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUJ303A_11 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN power transistor Low thermal resistance Fast switching
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