參數(shù)資料
型號： BUJ303AD
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN power transistor
中文描述： 5 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SC-63, DPAK-3
文件頁數(shù)： 1/14頁
文件大?。?/td> 189K
代理商： BUJ303AD
1.
Product profile
1.1 General description
High voltage, high speed planar passivated NPN power switching transistor in a SOT428
(DPAK) surface mountable plastic package.
1.2 Features and benefits
Fast switching
Low thermal resistance
Surface mountable package
Very high voltage capability
Very low switching and conduction
losses
1.3 Applications
DC-to-DC converters
High frequency electronic lighting
ballasts
Inverters
Motor control systems
1.4 Quick reference data
Table 1.
Symbol
I
C
BUJ303AD
NPN power transistor
Rev. 1 — 2 September 2011
Product data sheet
DA
Quick reference data
Parameter
collector current
Conditions
see
Figure 1
; see
Figure 2
;
see
Figure 4
T
mb
≤
25 °C; see
Figure 3
V
BE
= 0 V
Min
-
Typ
-
Max
5
Unit
A
P
tot
V
CESM
total power dissipation
collector-emitter peak
voltage
-
-
-
-
80
1000 V
W
Static characteristics
h
FE
DC current gain
I
C
= 5 mA; V
CE
= 5 V;
T
mb
= 25 °C; see
Figure 11
I
C
= 500 mA; V
CE
= 5 V;
T
mb
= 25 °C; see
Figure 11
10
22
30
14
25
35
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