參數(shù)資料
型號(hào)： BUJ105AX
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管)
中文描述： 8 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, FULL PACK-3
文件頁(yè)數(shù)： 4/7頁(yè)
文件大?。?/td> 75K
代理商： BUJ105AX
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BUJ105AX
Fig.7. Normalised power dissipation.
PD% = 100
PD/PD
25C
= f (T
hs
)
Fig.8. Typical DC current gain. h
FE
= f(I
C
)
parameter V
CE
Fig.9. Typical DC current gain. h
FE
= f(I
C
)
parameter V
CE
Fig.10. Collector-Emitter saturation voltage.
Solid lines = typ values, V
CEsat
= f(IB); T
j
=25C.
Fig.11. Base-Emitter saturation voltage.
Solid lines = typ values, V
BEsat
= f(IC); at IC/IB =4.
Fig.12. Collector-Emitter saturation voltage.
Solid lines = typ values, V
CEsat
= f(IC); at IC/IB =4.
0
20
40
60
80
100
120
140
Tmb / C
PD%
Normalised Power Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0.01
0.10
1.00
10.00
IB/A
VCEsat/V
IC=1A
2A
3A
4A
0.01
0.05
0.1
0.3
IC/A
1
2
3
5
10
2
5
10
15
20
30
50
HFE
Tj=100C
25C
-40C
VCE=1V
0.1
0.5
1
2
5
10
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.4
IC/A
VBESAT/V
Tj=100C
-40C
25C
0.01
0.05
0.1
0.3
IC/A
1
2
3
5
10
2
5
10
15
20
30
50
HFE
Tj=100C
25C
-40C
VCE=5V
0.2
0.4
0.6
1
IC/A
2
5
6
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
VCESAT/V
Tj=100C
-40C
25C
February 1999
4
Rev 1.000
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