參數(shù)資料
型號(hào)： BUJ105AB
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN power transistor
封裝： BUJ105AB<SOT404 (D2PAK)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT404.html<1<week 1, 2005,;
文件頁(yè)數(shù)： 1/9頁(yè)
文件大小： 143K
代理商： BUJ105AB
DATA SHEET
Product
s
pecification
October 2001
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BUJ105AB
Silicon Diffused Power Transistor
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
BUJ105AB,118 功能描述:兩極晶體管 - BJT Trans GP BJT NPN 400V 8A 3-Pin(2+Tab) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUJ105AD 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon diffused power transistor
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BUJ105AX 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor
BUJ106A 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor
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