參數(shù)資料
型號(hào)： BU52021HFV
元件分類： Magnetic Field Sensor
英文描述： MAGNETIC FIELD SENSOR-HALL EFFECT, 0.8-5.5mT, 0.40-2.60V, RECTANGULAR, SURFACE MOUNT
封裝： VSOF-5
文件頁(yè)數(shù)： 5/11頁(yè)
文件大小： 2025K
代理商： BU52021HFV
3/11
BU52021HFV (VDD 3.0V Ta 25 )
Specified Values
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
Supply voltage
VDD
2.4
3.0
3.6
V
BopS
-
3.7
5.5
Operating point
BopN
-5.5
-3.7
-
mT
BrpS
0.8
2.9
-
Release point
BrpN
-
-2.9
-0.8
mT
Period
Tp
-
50
100
ms
Output high voltage
VOH
VDD
-0.4
-
V
BrpN<B<BrpS
IOUT =-1.0mA
Output low voltage
VOL
-
0.4
V
B<BopN, BopS<B
IOUT =+1.0mA
Supply current
IDD(AVG)
-
8.0
12.0
A
Average values
BU52015GUL (
Specified Values
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
Supply voltage
VDD
1.65
1.80
3.30
V
BopS
-
3.0
5.0
Operating point
BopN
-5.0
-3.0
-
mT
BrpS
0.6
2.1
-
Release point
BrpN
-
-2.1
-0.6
mT
Period
Tp
-
50
100
ms
Output high voltage
VOH
VDD
-0.2
-
V
OUT1: BrpN<B<BrpS
OUT2: B<BopN, BopS<B
IOUT = -0.5mA
Output low voltage
VOL
-
0.2
V
OUT1: B<BopN, BopS<B
OUT2: BrpN<B<BrpS
IOUT = +0.5mA
Supply current 1
IDD1(AVG)
-
5.0
8.0
A
VDD=1.8V, Average values
Supply current 2
IDD2(AVG)
-
8.0
12.0
A
VDD=2.7V, Average values
B = Magnetic flux density
1mT=10Gauss
The otput is fixed after one period from power ON.
These products are not designed to be resistant to radiation.
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PDF描述
BU52025G-TR MAGNETIC FIELD SENSOR-HALL EFFECT, 0.8-5.5mT, 0.40-2.60V, RECTANGULAR, SURFACE MOUNT
BU52021HFV-TR MAGNETIC FIELD SENSOR-HALL EFFECT, 0.8-5.5mT, 0.40-2.60V, RECTANGULAR, SURFACE MOUNT
BU806AU 8 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
BUL43BBS 2 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
BUL43BBU 2 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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BU52025G 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Hole IC,Bop=+/-3.7mT,CMOSout,SSOP5
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BU52025G-TR-CUT TAPE 制造商:ROHM 功能描述:Silicon Monolithic Integrated Circuit, Hall Effet Switch
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