| 型號: | BU52021HFV |
| 元件分類: | Magnetic Field Sensor |
| 英文描述: | MAGNETIC FIELD SENSOR-HALL EFFECT, 0.8-5.5mT, 0.40-2.60V, RECTANGULAR, SURFACE MOUNT |
| 封裝: | VSOF-5 |
| 文件頁數(shù): | 1/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 2025K |
| 代理商: | BU52021HFV |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| BU52025G-TR | MAGNETIC FIELD SENSOR-HALL EFFECT, 0.8-5.5mT, 0.40-2.60V, RECTANGULAR, SURFACE MOUNT |
| BU52021HFV-TR | MAGNETIC FIELD SENSOR-HALL EFFECT, 0.8-5.5mT, 0.40-2.60V, RECTANGULAR, SURFACE MOUNT |
| BU806AU | 8 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| BUL43BBS | 2 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| BUL43BBU | 2 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BU52021HFV-TR | 功能描述:工業(yè)霍耳效應(yīng)/磁性傳感器 ULTRA SMALL DETECT SENSOR; 2.4-3.6V RoHS:否 制造商:Honeywell 操作類型: 操作高斯: 工作電源電壓: 電流額定值: 封裝 / 箱體: 輸出下降時間: 工作點最小值/最大值: 安裝風格: 最大工作溫度: 最小工作溫度: 最大輸出電流: 封裝: |
| BU52025G | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Hole IC,Bop=+/-3.7mT,CMOSout,SSOP5 |
| BU52025G-TR | 功能描述:板機接口霍耳效應(yīng)/磁性傳感器 2.4-3.6V; +/-3.7mT Bipolar Detection RoHS:否 制造商:Honeywell 類型:Bipolar Hall-Effect Digital Position Sensor 工作電源電壓:3 V to 24 V 電源電流:3.5 mA 最大輸出電流:20 mA 工作點最小值/最大值:5 G, 55 G 最小/最大釋放點(Brp):- 55 G, - 5 G 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 |
| BU52025G-TR-CUT TAPE | 制造商:ROHM 功能描述:Silicon Monolithic Integrated Circuit, Hall Effet Switch |
| BU52031NVX-TR | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:IC BU52031 SERIES |