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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BU506 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon diffused power transistors |
| 中文描述： | 5 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 7/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 77K |
| 代理商： | BU506 |
1997 Aug 13
6
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon diffused power transistors
BU506; BU506D
PACKAGE OUTLINE
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
SOT78
TO-220
D
D1
q
P
L
1
2
3
L2
(1)
b1
e
e
b
0
5
10 mm
scale
Plastic single-ended package; heatsink mounted; 1 mounting hole; 3-lead TO-220
SOT78
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
A
E
A1
c
Note
1. Terminals in this zone are not tinned.
Q
L1
UNIT
A1
b1
D1
e
P
mm
2.54
q
Q
A
b
D
c
L2
max.
(1)
3.0
3.8
3.6
15.0
13.5
3.30
2.79
3.0
2.7
2.6
2.2
0.7
0.4
15.8
15.2
0.9
0.7
1.3
1.0
4.5
4.1
1.39
1.27
6.4
5.9
10.3
9.7
L1
E
L
97-06-11
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BU506D | Silicon diffused power transistors |
| BU5071 | |
| BU508AD | TRANSISTOR | BJT | NPN | 700V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-218AC |
| BU508DR | TRANSISTOR | BJT | NPN | 700V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-218VAR |
| BU508FI | TRANSISTOR | BJT | NPN | 700V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-218 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BU-506 | 制造商:Thomas & Betts 功能描述: |
| BU506-1 | 制造商:Thomas & Betts 功能描述:2 BUSHING,RGD/IMC,NM,INSUL,EA |
| BU506D | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon diffused power transistors |
| BU506DF | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon diffused power transistors |
| BU506F | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:isc Silicon NPN Power Transistor |
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