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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BU506 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon diffused power transistors |
| 中文描述： | 5 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 5/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 77K |
| 代理商： | BU506 |
1997 Aug 13
4
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon diffused power transistors
BU506; BU506D
Fig.3 Power derating curve.
handbook, halfpage
0
50
Tmb (
o
C)
100
150
0
40
80
MGD283
Ptot max
(%)
Fig.4
Test circuit for collector-emitter
sustaining voltage.
handbook, halfpage
MGE252
+
50 V
100 to 200
30 to 60 Hz
L
6 V
oscilloscope
vertical
horizontal
1
300
Fig.5
Oscilloscope display for collector-emitter
sustaining voltage.
handbook, halfpage
(mA)
MGE239
250
200
100
0
min
VCEOsust
VCE (V)
Fig.6
Collector-emitter saturation voltage as a
function of base current; typical values.
(1) I
C
= 1 A.
(2) I
C
= 2 A.
(3) I
C
= 3 A.
T
mb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
10
2
10
1
10
1
1
1
VCEsat
(V)
IB (A)
10
MGB869
(1)
(2)
(3)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BU506D | Silicon diffused power transistors |
| BU5071 | |
| BU508AD | TRANSISTOR | BJT | NPN | 700V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-218AC |
| BU508DR | TRANSISTOR | BJT | NPN | 700V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-218VAR |
| BU508FI | TRANSISTOR | BJT | NPN | 700V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-218 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BU-506 | 制造商:Thomas & Betts 功能描述: |
| BU506-1 | 制造商:Thomas & Betts 功能描述:2 BUSHING,RGD/IMC,NM,INSUL,EA |
| BU506D | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon diffused power transistors |
| BU506DF | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon diffused power transistors |
| BU506F | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:isc Silicon NPN Power Transistor |
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