參數(shù)資料
型號(hào)： BU4530AL
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管)
中文描述： 16 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
文件大?。?/td> 58K
代理商： BU4530AL
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU4530AL
Fig.3. Switching times waveforms.
Fig.4. Switching times definitions.
Fig.5. Switching times test circuit
Fig.6. High and low DC current gain.
Fig.7. High and low DC current gain.
Fig.8. Typical base-emitter saturation voltage.
IC
IB
VCE
ICsat
IBend
32us
13us
10us
t
t
t
TRANSISTOR
DIODE
0.01
0.1
1
10
100
1
10
100
- - -Tj = 85 C
Tj = 25 C
VCE = 1V
IC / A
hFE
ICsat
90 %
10 %
tf
ts
IB1
IC
IB
t
t
- IB2
0.01
0.1
1
10
100
1
10
100
- - -Tj = 85 C
Tj = 25 C
VCE = 5V
IC / A
hFE
+ 150 v nominal
adjust for ICsat
Lc
Cfb
T.U.T.
LB
IBend
-VBB
0
1
2
3
4
0.6
0.7
0.8
0.9
1VBEsat /V
IB / A
- - Ths = 25 C
IC = 8 A
IC = 10 A
April 1999
3
Rev 1.100
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PDF描述
BU4530AW Silicon Diffused Power Transistor(硅功率擴(kuò)散晶體管)
BU4530AX Silicon Diffused Power Transistor
BU4540AW Silicon Diffused Power Transistor
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