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參數(shù)資料
| 型號： | BU2527DF |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon Diffused Power Transistor |
| 中文描述： | 12 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, SOT-199, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 81K |
| 代理商： | BU2527DF |
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU2527DF
Fig.13. Normalised power dissipation.
PD% = 100
P
D
/P
D 25C
= f (T
hs
)
Fig.14. Transient thermal impedance.
Z
th j-hs
= f(t); parameter D = t
p
/T
Fig.15. Reverse bias safe operating area. T
j
≤
T
jmax
Fig.16. Forward bias safe operating area.T
= 25 C
I
& I
= f(V
); I
single pulse; parameter t
Second-breakdown limits independant of temperature.
Mounted with heatsink compound.
0
20
40
60
80
100
120
140
Ths / C
PD%
Normalised Power Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
with heatsink compound
0
30
20
10
0
500
1000
1500
VCE / V
IC / A
BU2527AF
1E-06
1E-04
1E-02
t / s
1E+00
Zth / (K/W)
BU2525AF
10
1
0.1
0.01
0.001
D =
t
p
t
p
T
T
P
D
t
D = 0
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
BU2525AF
IC / A
100
10
1
0.1
0.01
1
10
100
1000 VCE / V
100 us
1 ms
10 ms
DC
40 us
tp =
Ptot
ICM
ICDC
= 0.01
September 1997
5
Rev 1.200
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BU2527DX | Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管) |
| BU2530AL | Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2530AW | Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管) |
| BU2532AL | Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2532AW | Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BU2527DX | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2530AL | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2530AW | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2532AL | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:isc Silicon NPN Power Transistor |
| BU2532AW | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-247 |
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