參數(shù)資料
型號： BU2522DX
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon Diffused Power Transistor
中文描述： 10 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SOT-399, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/7頁
文件大?。?/td> 80K
代理商： BU2522DX
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU2522DX
Fig.13. Transient thermal impedance.
Z
th j-hs
= f(t); parameter D = t
p
/T
Fig.14. Reverse bias safe operating area. T
j
≤
T
jmax
Fig.15. Forward bias safe operating area.T
= 25 C
I
& I
= f(V
); I
single pulse; parameter t
Second-breakdown limits independant of temperature.
Mounted with heatsink compound.
1E-06
1E-04
1E-02
1E+00
t / s
Zth / (K/W)
D = 0
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
D =
t
p
t
p
T
T
P
D
t
10
1
0.1
0.01
0.001
BU2520AF
IC / A
100
10
1
0.1
0.01
1
10
100
1000
VCE / V
100 us
1 ms
10 ms
DC
30 us
tp =
Ptot
ICM
ICDC
= 0.01
BU2522AF
0
30
20
10
0
500
1000
1500
VCE / V
IC / A
September 1997
5
Rev 1.200
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BU2523AF Silicon Diffused Power Transistor
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BU2523AX Silicon Diffused Power Transistor
BU2523DF Silicon Diffused Power Transistor
BU2523DX Silicon Diffused Power Transistor
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