參數資料
型號： BTA201-800E
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： 3Q Hi-Com Triac
封裝： BTA201-800E<SOT54 (SOT54)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT54.html<1<Always Pb-free,;BTA201-800E<SOT54 (SOT54)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT54.html<1<Always Pb-
文件頁數： 7/12頁
文件大?。?/td> 77K
代理商： BTA201-800E
BTA201_SER_B_E_ER_4
NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 04 — 4 February 2008
7 of 12
NXP Semiconductors
BTA201 series B, E and ER
1 A Three-quadrant triacs high commutation
7.
Dynamic characteristics
Table 6.
Symbol
Dynamic characteristics
Parameter
Conditions
BTA201-600B
BTA201-800B
BTA201-600E
BTA201-800E
BTA201-800ER
Typ
-
Unit
Min
1000
Typ
-
Max
-
Min
600
Max
-
dV
D
/dt
rate of rise of
off-state voltage
V
DM
= 67 % V
DRM(max)
;
T
j
= 125
°
C; exponential
waveform; gate open
circuit
V
DM
= 400 V;T
j
= 125
°
C;
dV
com
/dt = 20 V/
μ
s; gate
open circuit
V
DM
= 400 V;T
j
= 125
°
C;
dV
com
/dt = 10 V/
μ
s; gate
open circuit
I
TM
= 20 A;
V
D
= V
DRM(max)
;
I
G
= 0.1 A;
dI
G
/dt = 5 A/
μ
s
V/
μ
s
dI
com
/dt
rate of change of
commutating
current
12
-
-
2.5
-
-
A/ms
16
-
-
3.5
-
-
A/ms
t
gt
gate-controlled
turn-on time
-
2
-
-
2
-
μ
s
(1) T2
G
(2) T2+ G
(3) T2+ G+
Fig 7.
Normalized gate trigger voltage as a function
of junction temperature
Fig 8.
Normalized gate trigger current as a function
of junction temperature
T
j
(
°
C)
50
150
100
0
50
001aab101
0.8
1.2
1.6
0.4
V
GT
V
GT(25
°
C)
I
GT
I
GT(25
°
C)
T
j
(
°
C)
50
0
150
100
50
1
2
3
0
003aaa959
(1)
(2)
(3)
(1)
(2)
(3)
相關PDF資料
PDF描述
BTA201-800ER 3Q Hi-Com Triac
BTA201W-600E Logic level three-quadrant triac
BTA201W-800E Logic level three-quadrant triac
BTA202X-600D 2 A Three-quadrant high commutation triac
BTA202X-600E 2 A Three-quadrant high commutation triac
相關代理商/技術參數
參數描述
BTA201-800E,112 功能描述:雙向可控硅 3 QUADRANT TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態(tài)電流:120 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
BTA201-800E,116 功能描述:雙向可控硅 600 V 1 A TO92 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態(tài)電流:120 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
BTA201-800E,412 功能描述:雙向可控硅 Thyristor TRIAC 800V 13.7A 3-Pin SPT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態(tài)電流:120 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
BTA201-800ER 功能描述:雙向可控硅 3 QUADRANT TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態(tài)電流:120 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
BTA201-800ER AMO 功能描述:雙向可控硅 3 QUADRANT TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態(tài)電流:120 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*