參數(shù)資料
型號： BTA201-800E
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： 3Q Hi-Com Triac
封裝： BTA201-800E<SOT54 (SOT54)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT54.html<1<Always Pb-free,;BTA201-800E<SOT54 (SOT54)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT54.html<1<Always Pb-
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代理商： BTA201-800E
BTA201_SER_B_E_ER_4
NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 04 — 4 February 2008
6 of 12
NXP Semiconductors
BTA201 series B, E and ER
1 A Three-quadrant triacs high commutation
6.
Static characteristics
Table 5.
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
Symbol Parameter
Static characteristics
Conditions
BTA201-600B
BTA201-800B
BTA201-600E
BTA201-800E
BTA201-800ER
Min
Typ
Unit
Min
Typ
Max
Max
I
GT
gate trigger current
V
D
= 12 V; I
T
= 0.1 A; see
Figure 8
T2+ G+
T2+ G
T2
G
V
D
= 12 V; I
GT
= 0.1 A; see
Figure 10
T2+ G+
T2+ G
T2
G
V
D
= 12 V; I
GT
= 0.1 A; see
Figure 11
I
T
= 1.4 A; see
Figure 9
V
D
= 12 V; I
T
= 0.1 A; see
Figure 7
V
D
= 400 V; I
T
= 0.1 A; T
j
= 125
°
C
V
D
= V
DRM(max)
; T
j
= 125
°
C
5
5
5
-
-
-
50
50
50
1
1
1
-
-
-
10
10
10
mA
mA
mA
I
L
latching current
-
-
-
-
-
-
0.2
-
-
-
-
-
1.2
0.7
0.3
0.1
30
50
30
30
1.5
1.5
-
0.5
-
-
-
-
-
-
0.2
-
-
-
-
-
1.2
0.7
0.3
0.1
12
20
12
12
1.5
1.5
-
0.5
mA
mA
mA
mA
V
V
V
mA
I
H
V
T
V
GT
holding current
on-state voltage
gate trigger voltage
I
D
off-state current
相關PDF資料
PDF描述
BTA201-800ER 3Q Hi-Com Triac
BTA201W-600E Logic level three-quadrant triac
BTA201W-800E Logic level three-quadrant triac
BTA202X-600D 2 A Three-quadrant high commutation triac
BTA202X-600E 2 A Three-quadrant high commutation triac
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
BTA201-800E,112 功能描述:雙向可控硅 3 QUADRANT TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態(tài)電流:120 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
BTA201-800E,116 功能描述:雙向可控硅 600 V 1 A TO92 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態(tài)電流:120 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
BTA201-800E,412 功能描述:雙向可控硅 Thyristor TRIAC 800V 13.7A 3-Pin SPT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態(tài)電流:120 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
BTA201-800ER 功能描述:雙向可控硅 3 QUADRANT TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態(tài)電流:120 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
BTA201-800ER AMO 功能描述:雙向可控硅 3 QUADRANT TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態(tài)電流:120 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
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