參數(shù)資料
型號(hào)： BTA201-800E
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： 3Q Hi-Com Triac
封裝： BTA201-800E<SOT54 (SOT54)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT54.html<1<Always Pb-free,;BTA201-800E<SOT54 (SOT54)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT54.html<1<Always Pb-
文件頁(yè)數(shù)： 10/12頁(yè)
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代理商： BTA201-800E
BTA201_SER_B_E_ER_4
NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 04 — 4 February 2008
10 of 12
NXP Semiconductors
BTA201 series B, E and ER
1 A Three-quadrant triacs high commutation
9.
Revision history
Table 7.
Document ID
BTA201_SER_B_E_ER_4
Modifications:
Revision history
Release date
20080204
Figure 3
: Changed figure.
Section 1.4 “Quick reference data” on page 1
: Updated with minimum I
GT
values added.
Table 3 “Limiting values” on page 2
: I
2
t condition, t
p
; symbol update.
Table 5 “Static characteristics” on page 6
: Minimum I
GT
values added.
20070910
Product data sheet
The format of this data sheet has been redesigned to comply with the new identity
guidelines of NXP Semiconductors.
Legal texts have been adapted to the new company name where appropriate.
Descriptive titles have been corrected.
Table 3 “Limiting values” on page 2: dI
T
/dt uprated.
Table 6 “Dynamic characteristics” on page 7: dV
D
/dt uprated.
Figure 12 “Critical rate of rise of off-state voltage as a function of junction temperature;
minimum values” on page 8: graph updated.
20060113
Product data sheet
Figure 4: Figure note corrected
Table 6 “Dynamic characteristics” on page 7: Units corrected
Figure 12: Figure title corrected
20050825
Product data sheet
Data sheet status
Product data sheet
Change notice Supersedes
-
BTA201_SER_B_E_ER_3
BTA201_SER_B_E_ER_3
Modifications:
-
BTA201_SER_B_E_ER_2
BTA201_SER_B_E_ER_2
Modifications:
-
BTA201_SER_B_E_ER_1
BTA201_SER_B_E_ER_1
(9397 750 15154)
-
-
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BTA201-800ER 3Q Hi-Com Triac
BTA201W-600E Logic level three-quadrant triac
BTA201W-800E Logic level three-quadrant triac
BTA202X-600D 2 A Three-quadrant high commutation triac
BTA202X-600E 2 A Three-quadrant high commutation triac
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BTA201-800E,112 功能描述:雙向可控硅 3 QUADRANT TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
BTA201-800E,116 功能描述:雙向可控硅 600 V 1 A TO92 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
BTA201-800E,412 功能描述:雙向可控硅 Thyristor TRIAC 800V 13.7A 3-Pin SPT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
BTA201-800ER 功能描述:雙向可控硅 3 QUADRANT TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
BTA201-800ER AMO 功能描述:雙向可控硅 3 QUADRANT TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
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