參數(shù)資料
型號： BT149G
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： SCR
封裝： BT149G<SOT54 (SOT54)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT54.html<1<week 5, 2005,;BT149G<SOT54 (SOT54)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT54.html<1<week 5, 2005,;
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文件大小： 107K
代理商： BT149G
Conclusions
The maximum practical power dissipations are
summarised below for stagnant ambient conditions
at 25
°
C. These are for standard FR4 PCB or similar
without special heatsinking provisions. The 35
μ
m
copper had been lightly tinned by electrochemical
deposition.
SOT223 and SOT428 can be soldered to common
pad layouts. 20mm
2
was the absolute minimum pad
area for soldering SOT428. A reasonable power
dissipation for SOT428 on 20mm
2
fell somewhere
between 1.0W and 1.5W.
The minimum pad quoted in data for SOT223 is
5.7mm
2
. 0.5W is a more realistic maximum power
dissipation for SOT223 on its minimum pad.
Package
Pmax (W)
Pad area (mm
2
)
T
j
(
o
C)
R
th j-a
(K/W)
R
th j-a
(K/W)
(experimental)
(quoted in data)
156 (5.7mm
2
pad)
70 (648mm
2
pad)
SOT223
1.0
20
650
97
74
99
72
SOT428
1.0<1.5
20
106
73
75
SOT404
2.0
104
108
55
55
Naked dice
All Philips’ thyristors and triacs can be supplied as
naked dice if required. Please contact your local
sales office for details.
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PDF描述
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參數(shù)描述
BT149G AMO 功能描述:SCR AMMORA SCR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
BT149G,126 功能描述:SCR AMMORA SCR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
BT149G,412 功能描述:SCR BULKSL TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
BT149G126 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:THYRISTOR 800mA 600V TO-92
BT149G412 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:THYRISTOR .8A 600V TO-92
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