參數資料
型號： BT149G
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： SCR
封裝： BT149G<SOT54 (SOT54)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT54.html<1<week 5, 2005,;BT149G<SOT54 (SOT54)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT54.html<1<week 5, 2005,;
文件頁數： 12/15頁
文件大小： 107K
代理商： BT149G
SOT428
Area (mm
2
)
0.5W
1.0W*
1.5W*
2.0W
2.5W
3.0W
20
90
85
-
-
-
-
49
77
75
73
72
-
-
81
71
69
66
65
-
-
144
64
62
60
59
58
-
256
58
56
54
53
52
-
484
54
50
48
47
46
45
900
46
45
43
43
42
41
SOT428 Rth j-a vs PCB pad area. 100 x 100 mm FR4 PCB
positioned vertically in still air.
40
50
60
70
80
90
100
0
200
400
600
800
1000
Pad area (sq mm)
R
0.5W
1W
1.5W
2W
2.5W
3W
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PDF描述
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參數描述
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BT149G,126 功能描述:SCR AMMORA SCR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
BT149G,412 功能描述:SCR BULKSL TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
BT149G126 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:THYRISTOR 800mA 600V TO-92
BT149G412 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:THYRISTOR .8A 600V TO-92
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