參數資料
型號： BT139X-600E
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： 4Q Triac
中文描述： 4Q雙向可控硅
封裝： BT139X-600E<SOT186A (TO-220F)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT186A.html<1<week 32, 2004,;
文件頁數： 7/13頁
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代理商： BT139X-600E
BT139X-600E
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Product data sheet
Rev. 4 — 28 October 2011
7 of 13
NXP Semiconductors
BT139X-600E
Triac; sensitive gate
(1) T2
G+.
(2) T2+ G
.
(3) T2
G
.
(4) T2+ G+.
Fig 7.
Normalized gate trigger voltage as a function
of junction temperature
Fig 8.
Normalized gate trigger current as a function
of junction temperature
V
O
= 1.195 V.
R
s
= 0.018
.
(1) T
j
= 125
C; typical values.
(2) T
j
= 25
C; maximum values.
(3) T
j
= 125
C; maximum values.
Fig 9.
On-state current characteristics
Fig 10. Normalized latching current as a function of
junction temperature
T
j
(
°
C)
50
150
100
0
50
001aab101
0.8
1.2
1.6
0.4
V
GT
V
GT(25
°
C)
T
j
(
°
C)
50
150
100
0
50
001aab448
1
2
3
I
GT
(
Tj
)
I
GT(25
°
C)
0
(1)
(2)
(3)
(4)
001aab094
V
T
(V)
0
3
2
1
20
30
10
40
50
I
T
(A)
0
(1)
(3)
(2)
T
j
(
°
C)
50
150
100
0
50
001aab100
1
2
3
0
I
L
I
L(25
°
C)
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參數描述
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bt139x-600e127 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
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BT139X-600F/DG,127 功能描述:雙向可控硅 4Q TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態(tài)電流:120 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
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