參數(shù)資料
型號(hào)： BT139X-600E
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： 4Q Triac
中文描述： 4Q雙向可控硅
封裝： BT139X-600E<SOT186A (TO-220F)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT186A.html<1<week 32, 2004,;
文件頁數(shù)： 4/13頁
文件大?。?/td> 107K
代理商： BT139X-600E
BT139X-600E
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 4 — 28 October 2011
4 of 13
NXP Semiconductors
BT139X-600E
Triac; sensitive gate
t
p
20 ms.
(1) dI
T
/dt limit.
(2) T2
G+ quadrant.
Fig 3.
Non-repetitive peak on-state current as a function of pulse width; maximum values
f = 50 Hz; T
hs
38
C.
RMS on-state current as a function of surge
duration; maximum values
(1) T
hs
38
C.
Fig 5.
RMS on-state current as a function of
mounting base temperature; maximum values
Fig 4.
001aab092
T (ms)
10
2
10
2
10
10
1
1
10
2
10
3
I
TSM
(A)
10
T
I
T
I
TSM
t
T
j(initial)
= 25
°
C max
(2)
(1)
surge duration (s)
10
2
10
1
10
1
001aab090
20
30
10
40
50
I
T(RMS)
(A)
0
T
hs
(
°
C)
50
150
100
0
50
001aab095
10
5
15
20
I
T(RMS)
(A)
0
(1)
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bt139x-600e127 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
BT139X-600F 功能描述:雙向可控硅 RAIL TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
BT139X-600F,127 功能描述:雙向可控硅 RAIL TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
BT139X-600F/DG,127 功能描述:雙向可控硅 4Q TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
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