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參數(shù)資料
| 型號： | BT139X-600E |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 4Q Triac |
| 中文描述： | 4Q雙向可控硅 |
| 封裝： | BT139X-600E<SOT186A (TO-220F)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT186A.html<1<week 32, 2004,; |
| 文件頁數(shù)： | 2/13頁 |
| 文件大小： | 107K |
| 代理商： | BT139X-600E |
BT139X-600E
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.
NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 4 — 28 October 2011
2 of 13
NXP Semiconductors
BT139X-600E
Triac; sensitive gate
3. Ordering information
4. Limiting values
[1]
Although not recommended, off-state voltages up to 800 V may be applied without damage, but the triac may switch to the on-state. The
rate of rise of current should not exceed 15 A/
s.
Table 2.
Type number
Ordering information
Package
Name
-
Description
plastic single-ended package; isolated heatsink mounted; 1 mounting hole;
3 lead TO-220 ‘full pack’
Version
SOT186A
BT139X-600E
Table 3.
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
V
DRM
repetitive peak off-state voltage
I
T(RMS)
RMS on-state current
I
TSM
non-repetitive peak on-state current
Limiting values
Conditions
Min
Max
600
16
Unit
V
A
[1]
-
full sine wave; T
hs
38
C
full sine wave; T
j
= 25
C
prior to surge
t = 20 ms
t = 16.7 ms
t = 10 ms
I
TM
= 20 A; I
G
= 0.2 A;
dI
G
/dt = 0.2 A/
s
T2+ G+
T2+ G
T2
G
T2
G+
-
-
-
-
155
170
120
A
A
A
2
s
I
2
t
dI
T
/dt
I
2
t for fusing
repetitive rate of rise of on-state current after
triggering
-
-
-
-
-
-
-
-
40
-
50
50
50
10
2
5
5
0.5
+150
125
A/
s
A/
s
A/
s
A/
s
A
V
W
W
C
C
I
GM
V
GM
P
GM
P
G(AV)
T
stg
T
j
peak gate current
peak gate voltage
peak gate power
average gate power
storage temperature
junction temperature
over any 20 ms period
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BT148-400R | Logic level thyristor |
| BT148-500R | Logic level thyristor |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BT139X-600E,127 | 功能描述:雙向可控硅 RAIL TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態(tài)電流:120 A 額定重復關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
| bt139x-600e127 | 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| BT139X-600F | 功能描述:雙向可控硅 RAIL TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態(tài)電流:120 A 額定重復關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
| BT139X-600F,127 | 功能描述:雙向可控硅 RAIL TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態(tài)電流:120 A 額定重復關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
| BT139X-600F/DG,127 | 功能描述:雙向可控硅 4Q TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態(tài)電流:120 A 額定重復關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
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