參數(shù)資料
型號: BSYP62
元件分類: TVS-瞬態(tài)抑制二極管
英文描述: Transient Voltage Suppressor Diodes
中文描述: BSYP62 - Tranzystor krzemowy
文件頁數(shù): 1/2頁
文件大?。?/td> 130K
代理商: BSYP62
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSYP63 Transient Voltage Suppressor Diodes
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參數(shù)描述
BSYP63 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BSYP63 - Tranzystor krzemowy
BSZ-0 功能描述:電話連接器 COLORED BOOT EASYCON -BLACK RoHS:否 制造商:Switchcraft 標(biāo)準(zhǔn):1/4 in 開關(guān)配置:Switched 型式:Female 位置/觸點數(shù)量: 端接類型:Solder 安裝風(fēng)格:Chassis (Panel) 方向:
BSZ013NE2LS5IATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 25V 32A 8SON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):25V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):32A(Ta),40A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.3 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):50nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3400pF @ 12V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8-FL(3.3x3.3) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000
BSZ014NE2LS5IFATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 25V 31A 8TSDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,肖特基,金屬氧化物! FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):25V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):31A(Ta),40A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.45 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):33nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2300pF @ 12V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8-FL(3.3x3.3) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000
BSZ017NE2LS5IATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 25V 27A 8SON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):25V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):27A(Ta),40A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.7 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):30nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2000pF @ 12V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8-FL(3.3x3.3) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000