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BSZ017NE2LS5IATMA1

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • BSZ017NE2LS5IATMA1
    BSZ017NE2LS5IATMA1

    BSZ017NE2LS5IATMA1

  • 深圳市眾芯微電子有限公司
    深圳市眾芯微電子有限公司

    聯(lián)系人:陳小姐

    電話:0755-8320801015711992892

    地址:都會軒3607

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 9800

  • Infineon Technologies

  • PG-TSDSON-8-FL(3.3x3

  • 19+

  • -
  • 代理直銷!進(jìn)口原裝正品!

  • BSZ017NE2LS5IATMA1
    BSZ017NE2LS5IATMA1

    BSZ017NE2LS5IATMA1

  • 中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
    中山市翔美達(dá)電子科技有限公司

    聯(lián)系人:朱小姐

    電話:155020706551802218672813590991023

    地址:火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號金盛廣場1棟613室

  • 3000

  • 英飛凌

  • TO-3P

  • 22+

  • -
  • 原裝現(xiàn)貨

  • BSZ017NE2LS5IATMA1
    BSZ017NE2LS5IATMA1

    BSZ017NE2LS5IATMA1

  • 科創(chuàng)特電子(香港)有限公司
    科創(chuàng)特電子(香港)有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:0755-83014603

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907

  • 5000

  • INFINEON

  • 主營優(yōu)勢

  • 19+

  • -
  • 100%原裝正品★終端免費供樣★

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
BSZ017NE2LS5IATMA1 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 25V 27A 8SON
  • 制造商
  • infineon technologies
  • 系列
  • OptiMOS??
  • 包裝
  • 帶卷(TR)
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類型
  • MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓(Vdss)
  • 25V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
  • 27A(Ta),40A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 1.7 毫歐 @ 20A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)
  • 30nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)
  • 2000pF @ 12V
  • 功率 - 最大值
  • 2.1W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 8-PowerTDFN
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • PG-TSDSON-8-FL(3.3x3.3)
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 5,000
BSZ017NE2LS5IATMA1 技術(shù)參數(shù)
  • BSZ014NE2LS5IFATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 25V 31A 8TSDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,肖特基,金屬氧化物! FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):25V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):31A(Ta),40A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.45 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):33nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2300pF @ 12V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8-FL(3.3x3.3) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BSZ013NE2LS5IATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 25V 32A 8SON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):25V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):32A(Ta),40A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.3 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):50nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3400pF @ 12V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8-FL(3.3x3.3) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BSY79 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):- 電流 - 集電極截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 1mA,1V 頻率 - 躍遷:50MHz 工作溫度:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 BSY-005 功能描述:STAND KIT 制造商:master appliance co 系列:Master HG,Varitemp? VT 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSW-136-24-S-S-S 功能描述:BOTTOM MOUNT STRIPS 制造商:samtec inc. 系列:BSW 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 連接器類型:插座,分離式 觸頭類型:母形插口 樣式:板至板 針腳數(shù):36 加載的針腳數(shù):全部 間距 - 配接:0.100"(2.54mm) 排數(shù):1 行間距 - 配接:- 安裝類型:通孔,底部安裝 端接:焊接 緊固類型:推挽式 觸頭表面處理 - 配接:金 觸頭表面處理厚度 - 配接:30μin(0.76μm) 絕緣顏色:黑色 絕緣高度:0.350"(8.89mm) 接觸長度 - 接線柱:0.150"(3.81mm) 工作溫度:-55°C ~ 125°C 材料可燃性等級:UL94 V-0 觸頭表面處理 - 柱:錫 接合堆疊高度:- 侵入防護(hù):- 特性:- 額定電流:- 額定電壓:- 應(yīng)用:- 絕緣材料:聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET),玻璃纖維增強型 觸頭形狀:方形 觸頭材料:磷青銅 觸頭表面處理厚度 - 柱:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSZ031NE2LS5ATMA1 BSZ033NE2LS5ATMA1 BSZ034N04LSATMA1 BSZ035N03LSGATMA1 BSZ035N03MS G BSZ035N03MSGATMA1 BSZ036NE2LS BSZ036NE2LSATMA1 BSZ040N04LSGATMA1 BSZ040N06LS5ATMA1 BSZ042N04NS G BSZ042N04NSGATMA1 BSZ042N06NS BSZ042N06NSATMA1 BSZ0500NSIATMA1 BSZ0501NSIATMA1 BSZ0502NSIATMA1 BSZ0503NSIATMA1
配單專家

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