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BSZ070N08LS5ATMA1

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  • BSZ070N08LS5ATMA1
    BSZ070N08LS5ATMA1

    BSZ070N08LS5ATMA1

  • 中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
    中山市翔美達(dá)電子科技有限公司

    聯(lián)系人：朱小姐

    電話(huà)：155020706551802218672813590991023

    地址：火炬開(kāi)發(fā)區(qū)中山港大道99號(hào)金盛廣場(chǎng)1棟613室

  • 3000

  • 英飛凌

  • TO-3P

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  • 原裝現(xiàn)貨

  • BSZ070N08LS5ATMA1
    BSZ070N08LS5ATMA1

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  • 天陽(yáng)誠(chéng)業(yè)科貿(mào)有限公司
    天陽(yáng)誠(chéng)業(yè)科貿(mào)有限公司

    聯(lián)系人：洪寶宇

    電話(huà)：17862669251

    地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號(hào)院29號(hào)樓金泰富地大廈503

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 100

  • INFINEON

  • con

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  • 現(xiàn)貨常備產(chǎn)品原裝可到京北通宇商城查價(jià)格h...

  • BSZ070N08LS5ATMA1
    BSZ070N08LS5ATMA1

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  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯(lián)系人：王

    電話(huà)：13969210552

    地址：中國(guó)上海

  • 100

  • INFINEON

  • con

  • 24+

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  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯(lián)系人：王

    電話(huà)：16602601368

    地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號(hào)院29號(hào)樓5層505室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5

  • INFINEON

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  • BSZ070N08LS5ATMA1
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  • 深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司
    深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司

    聯(lián)系人：王小姐

    電話(huà)：13305449939

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路3031號(hào)漢國(guó)中心3204室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 100

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  • con

  • 24+

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  • BSZ070N08LS5ATMA1
    BSZ070N08LS5ATMA1

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  • 科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
    科創(chuàng)特電子（香港）有限公司

    聯(lián)系人：柯

    電話(huà)：0755-83014603

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號(hào)佳和大廈B座907

  • 5000

  • INFINEON

  • 主營(yíng)優(yōu)勢(shì)

  • 19+

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  • 1
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  • 功能描述
  • MV POWER MOS
  • 制造商
  • infineon technologies
  • 系列
  • *
  • 包裝
  • 帶卷（TR）
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • 安裝類(lèi)型
  • 表面貼裝
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • PG-TSDSON-8-FL
  • 封裝/外殼
  • 8-PowerTDFN
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 5,000
BSZ070N08LS5ATMA1 技術(shù)參數(shù)
  • BSZ0703LSATMA1 BSZ068N06NSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 40A 8TSDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:40A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6.8 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.3V @ 20μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:21nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1500pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8-FL 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSZ067N06LS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:14A（Ta），20A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 35μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:67nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:5100pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），69W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6.7 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8 封裝/外殼:8-PowerVDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSZ067N06LS3 G 功能描述:MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:14A（Ta），20A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6.7 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 35μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:67nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:5100pF @ 30V 功率 - 最大值:69W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8（3.3x3.3） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSZ065N06LS5ATMA1 功能描述:MV POWER MOS 制造商:infineon technologies 系列:* 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8-FL 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BSZ0901NS BSZ0901NSATMA1 BSZ0901NSI BSZ0901NSIATMA1 BSZ0902NS BSZ0902NSATMA1 BSZ0902NSI BSZ0902NSIATMA1 BSZ0904NSI BSZ0904NSIATMA1 BSZ0909NDXTMA1 BSZ0909NSATMA1 BSZ0910NDXTMA1 BSZ096N10LS5ATMA1 BSZ097N04LS G BSZ097N04LSGATMA1 BSZ097N10NS5ATMA1 BSZ0994NSATMA1
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