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BSZ0901NSATMA1

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
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  • 廠商
  • 封裝
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  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • BSZ0901NSATMA1
    BSZ0901NSATMA1

    BSZ0901NSATMA1

  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯(lián)系人：王

    電話：13969210552

    地址：中國上海

  • 329247

  • INFINEON

  • con

  • 24+

  • -

  • 優(yōu)勢庫存，原裝正品

  • BSZ0901NSATMA1
    BSZ0901NSATMA1

    BSZ0901NSATMA1

  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯(lián)系人：王小姐

    電話：13305449939

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路3031號漢國中心3204室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 329247

  • INFINEON

  • con

  • 24+

  • -

  • 優(yōu)勢庫存，原裝正品

  • BSZ0901NSATMA1
    BSZ0901NSATMA1

    BSZ0901NSATMA1

  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯(lián)系人：王小姐

    電話：13305449939

    地址：上海市靜安區(qū)恒豐路568號恒匯國際大廈903室

  • 329247

  • INFINEON

  • con

  • 24+

  • -

  • 現(xiàn)貨常備京北通宇商城可查價格

  • BSZ0901NSATMA1
    BSZ0901NSATMA1

    BSZ0901NSATMA1

  • 中山市翔美達電子科技有限公司
    中山市翔美達電子科技有限公司

    聯(lián)系人：朱小姐

    電話：155020706551802218672813590991023

    地址：火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號金盛廣場1棟613室

  • 3000

  • 英飛凌

  • TO-3P

  • 22+

  • -

  • 原裝現(xiàn)貨

  • BSZ0901NSATMA1
    BSZ0901NSATMA1

    BSZ0901NSATMA1

  • 深圳市華盛錦科技有限公司
    深圳市華盛錦科技有限公司

    聯(lián)系人：張先生/雷小姐

    電話：0755-8279802015814679726（承諾只售原裝正品，終端BOM配單一站式服務(wù)）

    地址：華強街道賽格廣場55樓5566室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 36890

  • INFINEON/英飛凌

  • TDSON-8

  • 21+原廠授權(quán)

  • -

  • ★原廠授權(quán)★價超代理★

  • BSZ0901NSATMA1
    BSZ0901NSATMA1

    BSZ0901NSATMA1

  • 深圳市澳億芯電子科技有限公司
    深圳市澳億芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人：廖R

    電話：13163738578

    地址：龍崗區(qū)坂田五和大道山海大廈c 棟707

  • 20

  • INFINEON

  • C72-晶體管

  • -

  • 1/1頁 40條/頁 共3條 
  • 1
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  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin TSDSON EP T/R
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 30V S308
BSZ0901NSATMA1 技術(shù)參數(shù)
  • BSZ0901NS 功能描述:MOSFET N-CH 30V S308 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:22A（Ta），40A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2850pF @ 15V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8（3.3x3.3） 標準包裝:1 BSZ088N03MSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:11A（Ta），40A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:27nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2100pF @ 15V 功率 - 最大值:35W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8（3.3x3.3） 標準包裝:1 BSZ088N03LSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12A（Ta），40A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8.8 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:21nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1700pF @ 15V 功率 - 最大值:35W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8（3.3x3.3） 標準包裝:1 BSZ086P03NS3GATMA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:13.5A（Ta），40A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.1V @ 105μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:57.5nC @ 10V Vgs（最大值）:±25V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:4785pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），69W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8.6 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8 封裝/外殼:8-PowerVDFN 標準包裝:1 BSZ086P03NS3EGATMA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:13.5A（Ta），40A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.1V @ 105μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:57.5nC @ 10V Vgs（最大值）:±25V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:4785pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），69W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8.6 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 BSZ0909NSATMA1 BSZ0910NDXTMA1 BSZ096N10LS5ATMA1 BSZ097N04LS G BSZ097N04LSGATMA1 BSZ097N10NS5ATMA1 BSZ0994NSATMA1 BSZ099N06LS5ATMA1 BSZ100N03LSGATMA1 BSZ100N03MSGATMA1 BSZ100N06LS3 G BSZ100N06LS3GATMA1 BSZ100N06NSATMA1 BSZ105N04NS G BSZ105N04NSGATMA1 BSZ110N06NS3 G BSZ110N06NS3GATMA1 BSZ110N08NS5ATMA1
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