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BSZ240N12NS3 G

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

BSZ240N12NS3 G
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
250000
INFINEON
最新批次
-
OEM渠道，價(jià)格超越代理！

BSZ240N12NS3 G
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會(huì)軒3607
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
9800
Infineon Technologies
PG-TSDSON-8（3.3x3.3）
19+
-
代理直銷！進(jìn)口原裝正品！

BSZ240N12NS3 G
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

BSZ240N12NS3 G
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
20350
INFINEON
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

BSZ240N12NS3 G
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：何芝
電話：19129491934(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-82865099
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
3500
Infineon
S3O8
13+
-
Infineon一級(jí)代理，價(jià)優(yōu)

BSZ240N12NS3 G
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
INFINEON
原廠封裝
最新批號(hào)
-
一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

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BSZ240N12NS3 G PDF下載

功能描述
MOSFET N-Channel 120V MOSFET
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

BSZ240N12NS3 G 技術(shù)參數(shù)

BSZ22DN20NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:7A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 13μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:5.6nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:430pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:34W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:225 毫歐 @ 3.5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSZ22DN20NS3 G 功能描述:MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:7A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:225 毫歐 @ 3.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 13μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:5.6nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:430pF @ 100V 功率 - 最大值:34W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8（3.3x3.3）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSZ215CHXTMA1 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，OptiMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 和 P 溝道互補(bǔ)型 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5.1A， 3.2A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:55 毫歐 @ 5.1A， 4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 110μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:2.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:419pF @ 10V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8-FL（3.3x3.3）標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BSZ180P03NS3GATMA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:9A（Ta），39.6A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:18 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.1V @ 48μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2220pF @ 15V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8（3.3x3.3）標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BSZ180P03NS3EGATMA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:9A（Ta），39.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:18 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.1V @ 48μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2220pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSZ520N15NS3GATMA1 BSZ900N15NS3 G BSZ900N15NS3GATMA1 BSZ900N20NS3 G BSZ900N20NS3GATMA1 BT/RT-18X26.5-A BT00M12S-3P BT-01-50M BT-02-50M BT05-2A66 BT-1 BT1.5I-C BT1.5I-C0 BT1.5I-M BT1.5I-M0 BT1.5I-M1 BT1.5I-M10 BT1.5I-M2

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配單專線：0755-88999344
艾睿（深圳）實(shí)業(yè)有限公..
配單專線：0755-82387015
集好芯城
配單專線：0755-83286799
林沃田信息技術(shù)(深圳)..
配單專線：0755-82781160
深圳市芯易芯科技有限公..
配單專線：0755-84864007

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