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配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

BSZ900N15NS3 GATMA1
現(xiàn)貨
集好芯城
集好芯城
聯(lián)系人：張育豪 13360528695
電話：0755-23607487
地址：深圳市福田區(qū)華富路1006號航都大廈11樓一層
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
7200
INFINEON/英飛凌
TSDSON8
22+
-
原廠原裝現(xiàn)貨

BSZ900N15NS3 G
現(xiàn)貨
集好芯城
集好芯城
聯(lián)系人：陳先生13360533550
電話：0755-838679890755-82795565
地址：深圳公司：深圳市福田區(qū)華富路航都大廈11F
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
88720
INFINEON/英飛凌
NA
22+
-
原廠原裝現(xiàn)貨

BSZ900N15NS3 G
北京首天偉業(yè)科技有限公司
北京首天偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
Infineon Technologies
標(biāo)準(zhǔn)封裝
15+
-
百分百原裝假一罰十

BSZ900N15NS3 G
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
9800
Infineon Technologies
PG-TSDSON-8（3.3x3.3）
19+
-
代理直銷！進(jìn)口原裝正品！

BSZ900N15NS3 G
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

BSZ900N15NS3 G
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
19110
INFINEON
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

BSZ900N15NS3 G
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：何芝
電話：19129491934(手機優(yōu)先微信同號)0755-82865099
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
3500
Infineon
S3O8
13+
-
Infineon一級代理，價優(yōu)

BSZ900N15NS3 G
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
INFINEON
原廠封裝
最新批號
-
一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

BSZ900N15NS3 G
深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯(lián)系人：王小姐
電話：13305449939
地址：上海市靜安區(qū)恒豐路568號恒匯國際大廈903室
1899
INFINEON
NA
近兩年
-
查價格、訂購可到京北通宇商城www.jb...

BSZ900N15NS3 G
深圳市暢洲科技有限公司
深圳市暢洲科技有限公司
聯(lián)系人：吳小姐
電話：852906044930755-82762262
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華航社區(qū)深南中路3018號都會軒2506
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
10000
INFINEON/英飛凌
TDSON-8
22+
-
全新原裝正品

BSZ900N15NS3 G
深圳市科宏特電子有限公司
深圳市科宏特電子有限公司
聯(lián)系人：李瑞兵
電話：18897698645
地址：深圳市福田區(qū)深南中路華強電子世界三店佳和4C148
36000000
Infineon
22+
-
原裝正品

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BSZ900N15NS3 G PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準(zhǔn)

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功能描述
MOSFET N-KANAL POWER MOS
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

BSZ900N15NS3 G 技術(shù)參數(shù)

BSZ520N15NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 150V 21A 8-TSDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:150V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:21A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:8V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 35μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:12nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:890pF @ 75V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:57W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:52 毫歐 @ 18A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSZ520N15NS3 G 功能描述:MOSFET N-CH 150V 21A 8-TSDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:150V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:21A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:52 毫歐 @ 18A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 35μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:12nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:890pF @ 75V 功率 - 最大值:57W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8（3.3x3.3）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSZ440N10NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5.3A（Ta），18A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 12μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:9.1nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:640pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:29W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:44 毫歐 @ 12A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSZ440N10NS3 G 功能描述:MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5.3A（Ta），18A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:44 毫歐 @ 12A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 12μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:9.1nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:640pF @ 50V 功率 - 最大值:29W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8（3.3x3.3）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSZ42DN25NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 13μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:5.5nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:430pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:33.8W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:425 毫歐 @ 2.5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BT1.5I-C BT1.5I-C0 BT1.5I-M BT1.5I-M0 BT1.5I-M1 BT1.5I-M10 BT1.5I-M2 BT1.5I-M3 BT1.5I-M30 BT1.5I-M300 BT1.5I-M39 BT1.5I-M4 BT1.5I-M4Y BT1.5I-M5 BT1.5I-M6 BT1.5I-M7 BT1.5I-M8 BT1.5M-C