型號(hào): | BSYP63 |
元件分類: | TVS-瞬態(tài)抑制二極管 |
英文描述: | Transient Voltage Suppressor Diodes |
中文描述: | BSYP63 - Tranzystor krzemowy |
文件頁(yè)數(shù): | 1/2頁(yè) |
文件大?。?/td> | 130K |
代理商: | BSYP63 |
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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BSZ014NE2LS5IFATMA1 | 功能描述:MOSFET N-CH 25V 31A 8TSDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,肖特基,金屬氧化物! FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):25V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):31A(Ta),40A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.45 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):33nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2300pF @ 12V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8-FL(3.3x3.3) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 |
BSZ017NE2LS5IATMA1 | 功能描述:MOSFET N-CH 25V 27A 8SON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):25V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):27A(Ta),40A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.7 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):30nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2000pF @ 12V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8-FL(3.3x3.3) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 |
BSZ018NE2LS | 功能描述:MOSFET N-KAN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |