參數(shù)資料
型號： BSS52
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： NPN Darlington transistors
中文描述： 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39
封裝： METAL, TO-39, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 52K
代理商： BSS52
1997 Sep 03
3
Philips Semiconductors
Product specification
NPN Darlington transistors
BSS50; BSS51; BSS52
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
collector-base voltage
BSS50
BSS51
BSS52
collector-emitter voltage
BSS50
BSS51
BSS52
emitter-base voltage
collector current (DC)
peak collector current
base current (DC)
total power dissipation
open emitter
60
80
90
V
V
V
V
CES
V
BE
= 0
65
65
45
60
80
5
1
2
100
0.8
5
+150
200
+150
V
V
V
V
A
A
mA
W
W
°
C
°
C
°
C
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
tot
open collector
T
amb
≤
25
°
C
T
case
≤
25
°
C
T
stg
T
j
T
amb
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
R
th j-c
thermal resistance from junction to ambient
thermal resistance from junction to case
in free air
220
35
K/W
K/W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSS61 PNP Darlington transistors
BSS62 PNP Darlington transistors
BSS62T1 Transient Voltage Suppressor Diodes
BSS72S TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 200A I(C) | TO-18
BSS73CSM NPN
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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BSS59 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-18
BSS5AOSAPH 制造商:Brady Corporation 功能描述:
BSS606N H6327 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BSS606NH6327 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
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