參數(shù)資料
型號: BSS138-MR
元件分類: TVS-瞬態(tài)抑制二極管
英文描述: Transient Voltage Suppressor Diodes
中文描述: MOSFET的BSS138 MINIREEL 500件
文件頁數(shù): 2/5頁
文件大?。?/td> 54K
代理商: BSS138-MR
Electrical Characteristics
(T
A
= 25°C unless otherwise noted)
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Units
OFF CHARACTERISTICS
BV
DSS
I
DSS
Drain-Source Breakdown Voltage
V
GS
= 0 V, I
D
= 250 μA
V
DS
= 50 V, V
GS
= 0 V
50
V
Zero Gate Voltage Drain Current
0.5
μA
T
J
=125°C
5
μA
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -20 V, V
DS
= 0 V
100
nA
I
GSSF
I
GSSR
ON CHARACTERISTICS
(Note 1)
Gate - Body Leakage, Forward
100
nA
Gate - Body Leakage, Reverse
-100
nA
V
GS(th)
R
DS(ON)
Gate Threshold Voltage
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1 mA
V
GS
= 10 V, I
D
= 0.22 A
V
GS
= 4.5 V, I
D
= 0.22 A
V
DS
= 10 V, I
D
= 0.22 A
0.8
1.3
1.6
V
Static Drain-Source On-Resistance
0.81
3.5
1.16
6
g
FS
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Forward Transconductance
0.12
0.45
S
C
iss
C
oss
C
rss
SWITCHING CHARACTERISTICS
(Note 1)
Input Capacitance
V
= 25 V, V
GS
= 0 V,
f = 1.0 MHz
30
60
pF
Output Capacitance
15
25
pF
Reverse Transfer Capacitance
7.5
10
pF
t
D(on)
t
r
t
D(off)
t
f
DRAIN-SOURCE DIODE CHARACTERISTICS AND MAXIMUM RATINGS
Turn - On Delay Time
V
DD
= 30 V, I
D
= 0.29 A,
V
GS
= 10 V, R
GEN
= 50
8
ns
Turn - On Rise Time
12
ns
Turn - Off Delay Time
16
ns
Turn - Off Fall Time
22
ns
I
S
I
SM
V
SD
Note:
1. Pulse Test: Pulse Width < 300
μ
s, Duty Cycle < 2.0%.
Maximum Continuous Source Current
0.22
A
Maximum Pulse Source Current
(Note 1)
0.88
A
Drain-Source Diode Forward Voltage
V
GS
= 0 V, I
S
= 0.44 A
0.8
1.4
V
BSS138 Rev. A1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSS131Q62702-S565 Transient Voltage Suppressor Diodes
BSS15 Transient Voltage Suppressor Diodes
BSS17 Transient Voltage Suppressor Diodes
BSS33 Transient Voltage Suppressor Diodes
BSS170F Transient Voltage Suppressor Diodes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BSS138N 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N CHANNEL MOSFET 230MA 60V SOT23 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 230MA, 60V, SOT23 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 60V, 230mA SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:230mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):3.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1V ;RoHS Compliant: Yes
BSS138N E6433 功能描述:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SIPMOS® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
BSS138N E6908 功能描述:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SIPMOS® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
BSS138N E7854 功能描述:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SIPMOS® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
BSS138N E8004 功能描述:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SIPMOS® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件