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BSS138-MR

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  • 制造商全稱
  • 未知廠家
  • 功能描述
  • MOSFET BSS138 MINIREEL 500PCS
BSS138-MR 技術(shù)參數(shù)
  • BSS138LT3G 功能描述:MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):50V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):200mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):3.5 歐姆 @ 200mA,5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):50pF @ 25V 功率 - 最大值:225mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3(TO-236) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS138LT3 功能描述:MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):50V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):200mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):3.5 歐姆 @ 200mA,5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):50pF @ 25V 功率 - 最大值:225mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3(TO-236) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 BSS138LT1G 功能描述:MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):50V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):200mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):3.5 歐姆 @ 200mA,5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):50pF @ 25V 功率 - 最大值:225mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3(TO-236) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS138LT1 功能描述:MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):50V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):200mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):3.5 歐姆 @ 200mA,5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):50pF @ 25V 功率 - 最大值:225mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3(TO-236) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 BSS138L 功能描述:MOSFET N-CH 50V 0.2A SOT-23 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):50V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):200mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):3.5 歐姆 @ 200mA,5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):2.4nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):50pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS138P,215 BSS138PS,115 BSS138PW,115 BSS138Q-7-F BSS138TA BSS138TC BSS138W BSS138W E6327 BSS138W E6433 BSS138W L6327 BSS138W L6433 BSS138W-7 BSS138W-7-F BSS138WH6327XTSA1 BSS138WH6433XTMA1 BSS138W-TP BSS139 E6327 BSS139 E6906
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