BSS138W-TP

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功能描述
N-CHANNEL MOSFET, SOT-323 PACKAG
制造商
micro commercial co
系列
-
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態(tài)
在售
FET 類型
N 溝道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
50V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
220mA（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
1.5V @ 1mA
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
27pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
300mW（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
3.5 歐姆 @ 220mA，10V
工作溫度
-55°C ~ 155°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝
SOT-323
封裝/外殼
SC-70，SOT-323
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

BSS138W-TP 技術(shù)參數(shù)

BSS138WH6433XTMA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:280mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.5 歐姆 @ 200mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 26μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:43pF @ 25V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT323-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 BSS138WH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:280mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.5 歐姆 @ 200mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 26μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:43pF @ 25V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT323-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS138W-7-F 功能描述:MOSFET N-CH 50V 200MA SC70-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:200mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.5 歐姆 @ 220mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:50pF @ 10V 功率 - 最大值:200mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:SOT-323 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS138W-7 功能描述:MOSFET N-CH 50V 0.2A SOT323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:200mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.5 歐姆 @ 220mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:50pF @ 10V 功率 - 最大值:200mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:SOT-323 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS138W L6433 功能描述:MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:280mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.5 歐姆 @ 220mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 26μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:43pF @ 25V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT323-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 BSS-150-01-F-D-A BSS-150-01-F-D-EM2 BSS-150-01-H-D BSS-150-01-H-D-A BSS-150-01-L-D BSS-150-01-L-D-A BSS-150-01-L-D-EM2 BSS-150-01-L-D-LC BSS159N E6327 BSS159N E6906 BSS159N H6327 BSS159N H6906 BSS159NH6327XTSA1 BSS159NH6327XTSA2 BSS159NH6906XTSA1 BSS159NL6327HTSA1 BSS159NL6906HTSA1 BSS169 E6327