BSS-150-01-C-D-A

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

1/1頁 40條/頁共40條
1

您是不是要找： BSS-150-01-F-D BSS-150-01-F-D-A BSS-150-01-F-D-EM2 BSS-150-01-H-D BSS-150-01-H-D-A BSS-150-01-L-D BSS-150-01-L-D-A BSS-150-01-L-D-EM2 BSS-150-01-L-D-LC

BSS-150-01-C-D-A PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)

BSS-150-01-C-D-A PDF下載

功能描述
.635MM DOUBLE ROW SOCKET ASSEMBL
制造商
samtec inc.
系列
BSS
包裝
管件
零件狀態(tài)
在售
連接器類型
插口，中央觸點(diǎn)帶
針腳數(shù)
300
間距
0.025"（0.64mm）
排數(shù)
2
安裝類型
表面貼裝
特性
板導(dǎo)軌
觸頭鍍層
金
觸頭鍍層厚度
50μin（1.27μm）
接合堆疊高度
5mm
板上高度
0.135"（3.43mm）
標(biāo)準(zhǔn)包裝
500

BSS-150-01-C-D-A 技術(shù)參數(shù)

BSS139L6906HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:14 歐姆 @ 0.1mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 56μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:3.5nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:76pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSS139L6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:14 歐姆 @ 0.1mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 56μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:3.5nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:76pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSS139H6906XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:* 零件狀態(tài):有效標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSS139H6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100mA（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:0V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 56μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:3.5nC @ 5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:76pF @ 25V FET 功能:耗盡模式功率耗散（最大值）:360mW（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:14 歐姆 @ 100μA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS139 H6327 功能描述:MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:14 歐姆 @ 100μA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 56μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:3.5nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:76pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS159N E6327 BSS159N E6906 BSS159N H6327 BSS159N H6906 BSS159NH6327XTSA1 BSS159NH6327XTSA2 BSS159NH6906XTSA1 BSS159NL6327HTSA1 BSS159NL6906HTSA1 BSS169 E6327 BSS169 E6906 BSS169H6327XTSA1 BSS169H6906XTSA1 BSS169L6327HTSA1 BSS169L6906HTSA1 BSS192,115 BSS192,135 BSS192PE6327