參數(shù)資料
型號(hào)： BSR18A
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： PNP switching transistor
中文描述： 100 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 62K
代理商： BSR18A
1997 May 28
2
Philips Semiconductors
Product specification
PNP switching transistor
BSR18A
FEATURES
Low current (max. 100 mA)
Low voltage (max. 40 V).
APPLICATIONS
High-speed saturated switching.
DESCRIPTION
PNP switching transistor in a SOT23 plastic package.
NPN complement: BSR17A.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
base
emitter
collector
Fig.1 Simplified outline (SOT23) and symbol.
handbook, halfpage
2
1
3
MAM256
Top view
2
3
1
MARKING
TYPE NUMBER
MARKING CODE
BSR18A
T92
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
40
40
100
250
300
300
UNIT
V
CBO
V
CEO
I
C
P
tot
h
FE
f
T
t
off
collector-base voltage
collector-emitter voltage
collector current (DC)
total power dissipation
DC current gain
transition frequency
turn-off time
open emitter
open base
100
250
V
V
mA
mW
T
amb
≤
25
°
C
I
C
=
10 mA; V
CE
=
1 V
I
C
=
10 mA; V
CE
=
20 V; f = 100 MHz
I
Con
=
10 mA; I
Bon
=
1 mA; I
Boff
= 1 mA
MHz
ns
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PDF描述
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BSR18A_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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