參數(shù)資料
型號(hào)： BSR58LT1
元件分類(lèi)： TVS-瞬態(tài)抑制二極管
英文描述： Transient Voltage Suppressor Diodes
中文描述： 晶體管|場(chǎng)效應(yīng)| N溝道| 8mA的我（直）| SOT - 23封裝
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 105K
代理商： BSR58LT1
Semiconductor Components Industries, LLC, 2002
March, 2002 – Rev. 0
1
Publication Order Number:
BSR58LT1/D
BSR58LT1
JFET Chopper Transistor
N–Channel – Depletion
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Drain–Gate Voltage
V
DG
–40
Vdc
Gate–Source Voltage
V
GS
–35
Vdc
Gate Current
I
G
50
mAdc
Total Device Dissipation
@ T
A
= 25
°
C
Derate above 25
°
C
P
D
350
2.8
mW
mW/
°
C
Lead Temperature
T
L
300
°
C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
T
J
, T
stg
–65 to +150
°
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Gate–Source Breakdown Voltage
(I
G
= –1.0
μ
Adc)
V
(BR)GSS
40
–
Vdc
Gate Reverse Current
(V
GS
= –15 Vdc)
I
GSS
–
–1.0
nAdc
Gate Source Cutoff Voltage
(V
DS
= 5.0 Vdc, I
D
= 1.0
μ
Adc)
V
GS(off)
–0.8
–4.0
Vdc
Drain–Cutoff Current
(V
DS
= 5.0 Vdc, V
GS
= –10 Vdc)
ON CHARACTERISTICS
I
D(off)
–
1.0
nAdc
Zero–Gate–Voltage Drain Current
(Note 1)
(V
DS
= 15 Vdc)
I
DSS
8.0
80
mAdc
Static Drain–Source On Resistance
(V
DS
= 0.1 Vdc)
r
DS(on)
–
60
Drain Gate and Source Gate
On–Capacitance
(V
DS
= V
GS
= 0, f = 1.0 MHz)
C
dg(on)
+
C
sg(on)
–
28
pF
Drain Gate Off–Capacitance
(V
GS
= –10 Vdc, f = 1.0 MHz)
C
dg(off)
–
5.0
pF
Source Gate Off–Capacitance
(V
GS
= –10 Vdc, f = 1.0 MHz)
1. Pulse Width = 300
μ
s, Duty Cycle = 3.0%.
C
sg(off)
–
5.0
pF
Device
Package
Shipping
ORDERING INFORMATION
BSR58LT1
SOT–23
SOT–23
CASE 318
STYLE 10
3000/Tape & Reel
3
2
1
M6 = Specific Device Code
M
6
= Date Code
MARKING DIAGRAM
M6
M
http://onsemi.com
1 DRAIN
2 SOURCE
3
GATE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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BSR58LT1G 功能描述:JFET 40V 10mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel
BSR58T/R 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 80MA I(DSS) | TO-236
BSR60 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:
BSR606N H6327 功能描述:MOSFET N-KANAL SMALL SIGNAL MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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