參數(shù)資料
型號： BSPD30N08S2-22
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-252AA
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 75V的五（巴西）直| 30A條（丁）|對252AA
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代理商： BSPD30N08S2-22
2002-06-17
Page 7
SPD30N08S2-22
13 Typ. avalanche energy
E
AS
=
f
(
T
j
)
par.:
I
D
= 30 A ,
V
DD
= 25 V,
R
GS
= 25
25
45
65
85
105
125
145
°C
185
T
j
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
mJ
240
E
A
14 Typ. gate charge
V
GS
=
f
(
Q
Gate
)
parameter:
I
D
= 30 A pulsed
0
10
20
30
40
50
nC
Q
Gate
65
0
2
4
6
8
10
12
V
16
SPD30N08S2-22
V
G
0,8
V
DS max
DS max
V
0,2
15 Drain-source breakdown voltage
V
(BR)DSS
=
f
(
T
j
)
parameter:
I
D
=10 mA
-60
-20
20
60
100
140
°C
T
j
200
68
70
72
74
76
78
80
82
84
86
88
V
92
SPD30N08S2-22
V
(
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PDF描述
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參數(shù)描述
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