參數(shù)資料
型號： BSPD30N08S2-22
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-252AA
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 75V的五（巴西）直| 30A條（?。﹟對252AA
文件頁數(shù)： 6/8頁
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代理商： BSPD30N08S2-22
2002-06-17
Page 6
SPD30N08S2-22
9 Drain-source on-state resistance
R
DS(on)
=
f
(
T
j
)
parameter :
I
D
= 25 A,
V
GS
= 10 V
-60
-20
20
60
100
140
°C
T
j
200
0
10
20
30
40
50
60
70
m
85
SPD30N08S2-22
R
D
typ
98%
10 Typ. gate threshold voltage
V
GS(th)
=
f
(
T
j)
parameter:
V
GS
=
V
DS
-60
-20
20
60
100
°C
180
T
j
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
4
V
G
80 μA
400 μA
11 Typ. capacitances
C
=
f
(
V
DS
)
parameter:
V
GS
=0V,
f
=1 MHz
4
10
0
5
10
15
20
V
30
V
DS
2
10
3
10
pF
C
C
iss
C
oss
C
rss
12 Forward character. of reverse diode
I
F
=
f
(V
SD
)
parameter:
T
j , t
p
= 80 μs
3
10
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
V
3
V
SD
0
10
1
10
2
10
A
SPD30N08S2-22
I
F
T
j
= 25 °C typ
T
j
= 175 °C typ
T
j
= 25 °C (98%)
T
j
= 175 °C (98%)
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PDF描述
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參數(shù)描述
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