參數(shù)資料
型號(hào)： BSR14
廠商： DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
英文描述： Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
中文描述： 表面貼裝硅外延PlanarTransistors
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大小： 49K
代理商： BSR14
3
1997 Fairchild Semiconductor Corporation
B
BSR14
NPN General Purpose Amplifier
This device is for use as a medium power amplifier and switch
requiring collector currents up to 500 mA. Sourced from Process
19. See BCW65C for characteristics.
C
B
E
SOT-23
Mark: U8
Absolute Maximum Ratings*
TA = 25°C unless otherwise noted
*
These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES
:
1)
These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2)
These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Characteristic
Max
Units
*BSR14
350
2.8
357
P
D
Total Device Dissipation
Derate above 25
°
C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
mW
mW/
°
C
°
C/W
R
θ
JA
Symbol
Parameter
Value
Units
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
stg
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current - Continuous
Operating and Storage Junction Temperature Range
40
75
6.0
800
V
V
V
mA
°
C
-55 to +150
*
Device mounted on FR-4 PCB 40 mm X 40 mm X 1.5 mm.
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