參數(shù)資料
型號(hào)： BSP75G
廠商： ZETEX PLC
元件分類(lèi)： 外設(shè)及接口
英文描述： 60V self-protected low-side IntelliFETTM MOSFET switch
中文描述： 3 A BUF OR INV BASED PRPHL DRVR, PDSO4
封裝： SOT-223, TO-261AA, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/8頁(yè)
文件大?。?/td> 382K
代理商： BSP75G
Issue 4 - May 2006
Zetex Semiconductors plc 2006
1
www.zetex.com
BSP75G
60V self-protected low-side IntelliFET
TM
MOSFET switch
Summary
Continuous drain source voltage
V
DS
=60V
550m
On-state resistance
Nominal load current
1.4A (V
IN
= 5V)
550mJ
Clamping energy
Ordering information
Device marking
BSP75G
Description
Self-protected low side MOSFET. Monolithic over temperature, over
current, over voltage (active clamp) and ESD protected logic level
power MOSFET intended as a general purpose switch.
Features
Short circuit protection with auto restart
Over-voltage protection (active clamp)
Thermal shutdown with auto restart
Over-current protection
Input protection (ESD)
High continuous current rating
Load dump protection (actively protects load)
Logic level input
Note:
The tab is connected to the drain pin, and must
be electrically isolated from the source pin.
Connection of significant copper to the tab is
recommended for best thermal performance.
Device
Reel size
(inches)
Tape width
(mm)
Quantity per reel
BSP75GTA
7
12mm embossed
1,000
BSP75GTC
13
12mm embossed
4,000
SOT223
D
S
D
IN
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSP75GTA 60V self-protected low-side IntelliFETTM MOSFET switch
BSP75GTC 60V self-protected low-side IntelliFETTM MOSFET switch
BSR17A Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
BSR19A NPN high voltage transistors
BSR30 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BSP75G(2) 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:
BSP75GQTA 功能描述:MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223 制造商:diodes incorporated 系列:汽車(chē)級(jí)，AEC-Q101 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.6A（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- Vgs（最大值）:- FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:550 毫歐 @ 700mA, 10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000
BSP75GQTC 功能描述:MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223 制造商:diodes incorporated 系列:汽車(chē)級(jí)，AEC-Q101 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.6A（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- Vgs（最大值）:- FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:550 毫歐 @ 700mA, 10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000
BSP75GTA 功能描述:電源開(kāi)關(guān) IC - 配電 TobereleasedQ4/03 RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開(kāi)啟電阻（最大值）:85 mOhms 開(kāi)啟時(shí)間（最大值）:400 us 關(guān)閉時(shí)間（最大值）:20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流（最大值）: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5
BSP75GTA-CUT TAPE 制造商:DIODES 功能描述:BSP75 60V 0.55 Ohm Self-Protected Low-Side IntelliFETTM MOSFET Switch- SOT-223
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