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參數(shù)資料
| 型號： | BSR19A |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN high voltage transistors |
| 中文描述： | NPN 高壓晶體管 |
| 封裝： | BSR19A<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,; |
| 文件頁數(shù)： | 1/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 131K |
| 代理商： | BSR19A |
DATA SHEET
Product data sheet
Supersedes data of 2004 Jan 13
2004 Mar 15
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BSR19; BSR19A
NPN high voltage transistors
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSR30 | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| BSR33 | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| BSS123A | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
| BSS123W | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| BSS123 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BSR19A T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BSR19A,215 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BSR19A215 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR HIGH VOLTAGE NPN 1 |
| BSR19AT/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 160V V(BR)CEO | 600MA I(C) | SOT-23 |
| BSR19T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 140V V(BR)CEO | 600MA I(C) | SOT-23 |
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