參數(shù)資料
型號： BSR30
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
中文描述： 1000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-89, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大小： 13K
代理商： BSR30
SOT89 PNP SILICON PLANAR
MEDIUM POWER TRANSISTOR
ISSUE 4 – J UNE 1996
%
COMPLEMENTARY TYPE –
BSR40
PARTMARKING DETAIL –
BR1
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
-70
V
Collector-Emitter Voltage
-60
V
Emitter-Base Voltage
-5
V
Peak Pulse Current
-2
A
Continuous Collector Current
-1
A
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
1
W
-65 to +150
°C
MIN.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
-70
V
I
C
=-100
μ
A
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
-60
V
I
C
=-10mA
Emitter-Base Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
I
CBO
-5
V
I
E
=-10
μ
A
V
CB
=-60V
V
CB
=-60V, T
amb
=125°C
I
C
=-150mA, I
B
=-15mA
I
C
=-500mA, I
B
=-50mA
I
C
=-150mA, I
B
=-15mA
I
C
=-500mA, I
B
=-50mA
I
C
=-100
μ
A, V
CE
=-5V
I
C
=-100mA, V
CE
=-5V
I
C
=-500mA, V
CE
=-5V
V
CB
=-10V, f =1MHz
V
EB
=-0.5V, f =1MHz
I
=-50mA, V
CE
=-10V
f =35MHz
Collector Cut-Off Current
-100
-50
nA
μ
A
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
-0.25
-0.5
V
V
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
-1.0
-1.2
V
V
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
10
40
30
120
Collector Capacitance
C
c
C
e
f
T
20
pF
Emitter Capacitance
120
pF
Transition Frequency
100
MHz
Turn-On Time
T
on
T
off
500
ns
V
CC
=-20V, I
=-100mA
I
B1
=-I
B2
=-5mA
Turn-Off Time
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
s. Duty cycle
≤
2%
For typical characteristics graphs see FMMT551 datasheet.
650
ns
BSR30
C
C
B
E
SOT89
3 - 65
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSR33 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
BSS123A N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
BSS123W N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
BSS123 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
BSS123 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BSR30 T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BSR30,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BSR30115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:BIPLR TRANSISTOR MED PWR PNP -60V -1
BSR302KL6327 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
BSR302N 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS2 Small-Signal-Transistor
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